砷化鎵檢測(cè)

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等元件。
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砷化鎵檢測(cè) 項(xiàng)目介紹

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。

砷化鎵 檢測(cè)項(xiàng)目

檢測(cè)樣品：砷化鎵外延片、單晶、晶片、載流子等。

檢測(cè)項(xiàng)目：外形尺寸、表面質(zhì)量、偏離度檢測(cè)、切口測(cè)試、電學(xué)性能檢測(cè)、載流子濃度測(cè)試、電阻率檢測(cè)、截面電阻率不均勻性、遷移率測(cè)試、位錯(cuò)密度、電學(xué)性能、導(dǎo)電類型、霍爾遷移率、電阻率檢測(cè)、位錯(cuò)密度檢測(cè)等。


砷化鎵 檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測(cè)量方法

GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外干涉測(cè)量方法

GB/T 8760-2020 砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 11094-2020 水平法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 20228-2021 砷化鎵單晶

GB/T 25075-2010 太陽能電池用砷化鎵單晶

SJ 3242-1989 砷化鎵外延片

SJ 20714-1998 砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗(yàn)方法

SJ/T 11497-2015砷化鎵晶片熱穩(wěn)定性的試驗(yàn)方法


砷化鎵 檢測(cè)流程

砷化鎵檢測(cè) 服務(wù)優(yōu)勢(shì)

1.擁有眾多先進(jìn)儀器設(shè)備并通過CMA/CNAS資質(zhì)認(rèn)可，測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠，檢測(cè)報(bào)告具有國際公信力。


2.科學(xué)的實(shí)驗(yàn)室信息管理系統(tǒng)，保障每個(gè)服務(wù)環(huán)節(jié)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)。


3.技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)豐富，可提供專業(yè)、迅速、全面的一站式服務(wù)。


4.服務(wù)網(wǎng)絡(luò)遍布全球，眾多一線品牌指定合作實(shí)驗(yàn)室。


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